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Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico

M. A. Mroginski, R. A. Casali, M. A. Caravaca
Idioma: es

Resumen

Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx

Palabras clave

Complejos atómicos; Estudio de estabilidad; Grupo IV