Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico
DOI:
https://doi.org/10.30972/fac.1905503Palabras clave:
Complejos atómicos, Estudio de estabilidad, Grupo IVResumen
Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx
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Publicado
17-08-2021
Cómo citar
Mroginski, M. A., Casali, R. A., & Caravaca, M. A. (2021). Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico. FACENA, 19, 3–10. https://doi.org/10.30972/fac.1905503
Número
Sección
Artículos Científicos
