Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico - Mroginski, M. A.; Casali, R. A.; Caravaca, M. A. (FACENA, 2021)
Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx