Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico

Authors

  • M. A. Mroginski Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura
  • R. A. Casali Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura
  • M. A. Caravaca Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ingeniería

DOI:

https://doi.org/10.30972/fac.1905503

Keywords:

Complejos atómicos, Estudio de estabilidad, Grupo IV

Abstract

Se presenta un estudio de energías de configuración de pequeños clusters de átomos de C, Ge y Sn en Si para posiciones sustitucionales, mediante el modelo de Keating anarmónico. Los resultados muestran en general tendencia a la nucleación excepto Cx en Si y una posible formación de estructuras complejas de 4 átomos en Si 158 - xGe Cx

Author Biographies

M. A. Mroginski, Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura

Departamento de Física

R. A. Casali, Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura

Departamento de Física

M. A. Caravaca, Universidad Nacional del Nordeste. Facultad de Ingeniería

Departamento Físico-Química

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Published

2021-08-17

How to Cite

Mroginski, M. A., Casali, R. A., & Caravaca, M. A. (2021). Estudio de estabilidad de complejos atómicos en semiconductores del grupo IV mediante el modelo de Keating Anarmónico. FACENA, 19, 3–10. https://doi.org/10.30972/fac.1905503

Issue

Vol. 19 (2003)

Section

Artículos Científicos